[21p-A307-1~23] 6.3 Oxide electronics

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[21p-A307-4] Magnetotransport properties in Pr and Sm doped NdRuO₃ thin films

〇(M1)Shunsuke Senzaki¹, Lingfei Zhang¹, Takahiro Fujita¹, Masashi Kawasaki^1,2 (1.Tokyo Univ., 2.RIKEN-CEMS)

Keywords:

perovskite oxide,anomolous Hall effect

当研究室ではLnRuO₃の単結晶薄膜の作製手法を開拓してきた。Lnサイトのイオン半径が小さくなるほど絶縁体的な挙動を示したほか、非磁性のLa³⁺を含むLaRuO₃以外で異常ホール効果が観測された。さらに、NdRuO₃においては、トポロジカルホール効果(THE)が低温で観測された。一方で、磁性イオンであるPr3+、Sm3+を含むPrRuO₃とSmRuO₃ではTHEは観測されなかった。本研究ではその起源を明らかにすべく、Nd、Pr、Smを含むLnRuO₃固溶体薄膜を作製し、その磁気輸送特性を調べた。