[22p-A302-1~15] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[22p-A302-14] Ion-gating Reservoir Utilizing Monolayer Graphene Channel

〇(M1)Hina Kitano^1,2, Nishioka Daiki^1,2, Namiki Wataru¹, Tsuchiya Takashi^1,2, Higuchi Tohru², Terabe Kazuya¹ (1.NIMS, 2.Tokyo Univ. Sci.)

Keywords:

reservoir computing,ionics,graphene

イオンゲーティングリザバーとは、電気二重層や酸化還元反応による抵抗変化を用いた物理リザバーコンピューティングの1つである。本研究では、チャネル半導体が原子1層からなる究極的に薄い単層グラフェンを用いて、その上に伝導性固体電解質を乗せたトランジスタを作製した。バルク材料に比べてイオン挿入・脱離サイトを飛躍的に低減し、理想的なEDL型動作のイオンゲーティングリザバーを実現した。