[22p-B202-1~16] 1.6 Ultrasonics

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22p-B202-14] Analysis of Sezawa mode RSAW on intermediate electrode insertion structure with YbAlN thin films/high velocity substrates

〇Kei Hukunaga¹, Masashi Suzuki¹, Shoji Kakio¹ (1.Univ.of Yamanashi)

Keywords:

Surface acoustic wave,AlN film

中間電極挿入構造 YbAlN薄膜/高音速基板(Diamond, 6H-SiC, AlN, Al₂O₃ , Si)上のセザワモードRSAW伝搬特性を解析した. 中間電極挿入構造はすべての基板においてK²が単層薄膜/高音速基板構造の約1.4-1.7倍に上昇した．また，FEMでアドミタンス周波数特性解析を行い，中間電極を最適な位置に挿入することで単層薄膜での位相速度を維持したままK²を増幅できることが分かった．