[22p-P10-1~18] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[22p-P10-7] Low-temperature annealing of Y4Si2O7N2 : Eu3+ red phosphors in an O3 atmosphere

〇(M1)Hiroki Shinoda¹, Rentaro Furuie¹, Koutoku Ohmi¹, Takashi Kunimoto² (1.Tottori Univ., 2.Tokubun Univ.)

Keywords:

Red phosphor for white LED,Y4Si2O7N2:Eu3+,O3 atmosphere annealing

Y₄Si₂O₇N₂:Eu³⁺蛍光体試料を固相反応法、NH₃雰囲気で1350℃、3h焼成により作製した。本研究では、酸素より酸化力の強いO₃雰囲気下でアニールを行い、残存するEu²⁺を強制酸化させることで、Eu³⁺付活の促進を検討した。PL強度はO₃アニールによって約2.7倍に増加した。