[23a-A308-1~10] CS.5 Code-sharing Session of 3.10 & 3.12

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[23a-A308-10] Increase of CW Power of GaN-based PCSEL with Large-Size Cavity

〇Masahiro Jutori¹, Tomoaki Koizumi^2,1, Kei Emoto^2,1, Menaka De Zoysa¹, Shunsuke Morimoto¹, Kenji Ogawa¹, Takuya Inoue¹, Kenji Ishizaki¹, Masahiro Yoshida¹, Shumpei Katsuno¹, Susumu Noda¹ (1.Kyoto Univ., 2.Stanley Electric)

Keywords:

photonic crystal laser

フォトニック結晶レーザー（PCSEL）は，活性層近傍に配置したフォトニック結晶をレーザー共振器として用いる，高出力・高ビーム品質が両立可能な光源である．GaN系PCSELでは最近，CW駆動で高輝度動作の実現に成功し，CW駆動時の閾値電流密度増大の原因が温度上昇に伴う発振バンド端での面内損失の増大であることを明らかにした．そして，前回より共振器面積拡大による面内損失の低減を図り，CW駆動時の低閾値化・高出力化を検討し，今回，共振器内部の温度分布の評価も行ったので，その詳細を報告する．