[16a-A21-1~8] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[16a-A21-6] Analysis of impurity incorporation into GaN using universal neural network potential

〇Shigeki Yoshida¹, Isao Makabe¹, Takuji Yamamura¹, Kozo Makiyama¹, Ken Nakata¹ (1.Sumitomo Electric)

Keywords:

GaN,neural network potential

近年、機械学習技術が進展し、材料科学分野においてもその応用が盛んにおこなわれている。中でも機械学習ポテンシャルは第一原理計算と同程度の精度で計算を高速化できるなどの利点から注目を集めている。我々は、N極性GaN成長の解析へ機械学習ポテンシャルの活用を検討しており、Ga極性とN極性GaNの不純物の取込みの差に注目し、解析をおこなった。