[16a-A31-1~11] 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[16a-A31-5] The influence of device fabrication process on the carbon nanotubes: changes in G/D ratio in Raman spectra

〇Haruki Uchiyama¹, Dai Muto¹, Hiromichi Kataura², Yutaka Ohno^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.AIST, 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

carbon nanotube,device fabrication process,Raman spectroscopy

カーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタは高い移動度や機械的柔軟性を備え、フレキシブルエレクトロニクスへの応用が期待されている．最近，低欠陥(GD比>300)の半導体CNTを分離・精製する技術が確立されたが，デバイス作製プロセスでGD比の著しい低下が確認された．本研究では，デバイス作製プロセスがCNTのGD比に与える影響を報告する．