[16a-A31-1~11] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

10:00 〜 10:15

[16a-A31-5] デバイス作製プロセスによるカーボンナノチューブへの影響：ラマンスペクトルにおけるG/D比の変化

〇内山 晴貴¹、武藤 大¹、片浦 弘道²、大野 雄高^1,3 (1.名大工、2.産総研、3.名大未来研)

キーワード：

カーボンナノチューブ、デバイス作製プロセス、ラマン分光測定

カーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタは高い移動度や機械的柔軟性を備え、フレキシブルエレクトロニクスへの応用が期待されている．最近，低欠陥(GD比>300)の半導体CNTを分離・精製する技術が確立されたが，デバイス作製プロセスでGD比の著しい低下が確認された．本研究では，デバイス作製プロセスがCNTのGD比に与える影響を報告する．