[16a-C43-1~11] 7.1 X-ray technologies

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[16a-C43-4] The EUV conversion efficiency by solid-state-laser multi-beam irradiation

〇Tsukasa Sugiura¹, Hayato Yazawa¹, Hiroki Morita¹, Shinichi Namba², Takeshi Higashiguchi¹ (1.Utsunomiya Univ., 2.Hiroshima Univ.)

Keywords:

EUV,Laser-produced plasma,Advanced semiconductor

先端半導体集積回路の微細化には，高出力EUV光源が必要である．そのため高出力CO2レーザーが求められるが，増幅の限界や消費電力が高いなどの問題がある．そこで，本研究ではマルチビーム照射を提案する．1から5本のレーザーを固体Snに照射し，EUV変換効率を観測した．1ビーム照射時の変換効率は1.7%であったが，2ビーム照射時では4.7%に向上した．他の条件においても1ビームより高い変換効率が得られた.