[16a-C43-1~11] 7.1 X線技術

9:45 〜 10:00

[16a-C43-4] 固体レーザーマルチビーム照射によるEUV変換効率

〇杉浦 使¹、矢澤 隼斗¹、森田 大樹¹、難波 愼一²、東口 武史¹ (1.宇都宮大、2.広島大)

キーワード：

EUV、レーザー生成プラズマ、先端半導体

先端半導体集積回路の微細化には，高出力EUV光源が必要である．そのため高出力CO2レーザーが求められるが，増幅の限界や消費電力が高いなどの問題がある．そこで，本研究ではマルチビーム照射を提案する．1から5本のレーザーを固体Snに照射し，EUV変換効率を観測した．1ビーム照射時の変換効率は1.7%であったが，2ビーム照射時では4.7%に向上した．他の条件においても1ビームより高い変換効率が得られた.