[16p-A21-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-A21-6] Fabrication of AlGaN-based UV-B laser diodes with refractive-index waveguide structure

〇Rintaro Miyake¹, Yoshinori Imoto¹, Ryoya Yamada¹, Takumu Saito¹, Shundai Maruyama¹, Shogo Karino¹, Yusuke Sasaki¹, Sho Iwayama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

laser

本グループでは格子緩和した高品質 AlGaN テンプレート上に UV-B 半導体レーザ(LD)を作製し室温パルス発振を実現している。本報告では屈折率導波路構造および利得導波路型の UV-B LD を作製し、特性の評価を行い横方向に光が閉じ込められているのか検証した。結果として屈折率導波路構造では光が横方向に閉じ込められていることが確認され、良好な屈折率導波構造が形成されていることが示唆された。