[16p-A22-1~22] CS.13 Code-sharing Session of 13.7 & 15.4

1:00 PM - 1:15 PM JST(4:00 AM - 4:15 AM UTC)

[16p-A22-1] Effect of UVA light on GaN nanowire fabrication using contactless PEC etching

〇Hisahiro Furuuchi^1,2, Junichi Motohisa^1,2, Taketomo Sato² (1.Hokkaido Univ., 2.RCIQE)

Keywords:

GaN,PEC etching,nanowire

光電気化学(PEC)エッチングは電解液-半導体界面における光電気化学酸化と生成酸化物の溶解により進行するGaN(の低損傷加工手法である。また、基板への配線が不要なコンタクトレスPECエッチングも考案されており、ナノワイヤ(NW)作製に適用可能である。NW作製の際エッチングレートの低さが課題であったが、今回UVC光に加えてUVA光を照射することでエッチングレートに改善が見られたので報告する。