[16p-A22-1~22] CS.13 Code-sharing Session of 13.7 & 15.4

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-A22-6] Development of high-power-density N-polar GaN/InAlN HEMT

〇Akihiro Hayasaka¹, Shigeki Yoshida¹, Akira Mukai¹, Isao Makabe¹, Yukihiro Tsuji¹, Kozo Makiyama¹, Ken Nakata¹ (1.Sumitomo Electric)

Keywords:

HEMT,N-polar GaN,InAlN

GaN HEMTは無線通信向け高周波パワーデバイスとして広く使用されており、5.5Gや6Gに向け高周波帯における出力密度の向上が求められている。しかし、一般に製品化されているGa極性GaN HEMTは短ゲート構造において電子がバッファ側に回り込むため、出力密度向上が鈍化傾向にある。そこでバックバリア構造によりバッファ側への電子の回り込みを抑制できるN極性GaN HEMTが注目されている。N極性GaN HEMTはバックバリアにAlGaNを用いる構造が一般的であるが、我々はさらなる高出力密度化が可能な材料として、高いシートキャリア密度により電流密度を向上できるInAlNに着目している。ここでは、N極性GaN/InAlN HEMTにおいて28 GHz帯での高出力動作を達成したので報告する。