[16p-C301-1~18] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-C301-13] Novel Technique Using O₂ Annealing for Controlling Electron Concentration of Hexagonal (NH₄)_xWO₃ Nanowire

〇Yuki Narita¹, Ryo Toyoshima¹, Ken Uchida¹ (1.Tokyo univ.)

Keywords:

oxide semiconductor,nanowire

水熱合成六方晶(NH₄)_xWO₃ナノワイヤを用いたガスセンサは，LSIに搭載するには抵抗値が低い問題を抱えている．NH₄⁺挿入濃度の減少によりナノワイヤの電子濃度を下げる必要があるが，挿入濃度が低いと構造安定性を保つことが困難になるため低電子濃度を得られない可能性が懸念されていた．本研究では，適切な温度での酸素アニールによって，六方晶構造を維持しながら広範な電子濃度制御を行うことに初めて成功した．