[16p-D63-1~17] CS.9 Code-sharing Session of 6.5 & 7.5

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)

[16p-D63-2] Influence of Amount of Sn Deposition for Growth of Stanene on InSb(111)A

〇Takato Yokoo¹, Antoine Fleurence¹, Yukiko Yamada-Takamura¹ (1.JAIST)

Keywords:

stanene,post-graphene

スタネンはスズ（Sn）原子で構成された座屈したハニカム格子を有する二次元材料である。しかし、これまで実験的にスタネンの成長を試みた研究では予測された自立スタネンの電子状態は得られていない。その原因の１つとして、スタネン成長時に用いた基板との格子不整合により歪を有するSn薄膜が形成されたことが考えられる。本研究では、自立スタネンに近い面内格子定数を有するInSb(111)A基板上へのスタネン成長条件の検討を行った。