[16p-D63-1~17] CS.9 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェア

13:15 〜 13:30

[16p-D63-2] InSb(111)A上のスタネン成長に向けたSn蒸着量の影響

〇横尾 雄士¹、フロランス アントワーヌ¹、高村(山田) 由起子¹ (1.北陸先端大)

キーワード：

スタネン、ポストグラフェン

スタネンはスズ（Sn）原子で構成された座屈したハニカム格子を有する二次元材料である。しかし、これまで実験的にスタネンの成長を試みた研究では予測された自立スタネンの電子状態は得られていない。その原因の１つとして、スタネン成長時に用いた基板との格子不整合により歪を有するSn薄膜が形成されたことが考えられる。本研究では、自立スタネンに近い面内格子定数を有するInSb(111)A基板上へのスタネン成長条件の検討を行った。