[16p-D63-1~17] CS.9 Code-sharing Session of 6.5 & 7.5

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[16p-D63-4] Manipulating thermoelectric properties in ZnO films by controlling crystal orientation of Al₂O₃ substrate

〇Yuki Komatsubara¹, Takafumi Ishibe¹, Nobuyasu Naruse², Yoshiaki Nakamura¹ (1.Grad. School of Eng. Sci., Osaka Univ., 2.Shiga Univ. Medical Science)

Keywords:

Thermoelectric conversion,strain,epitaxial grown

近年、IoTセンサ用電源として薄膜熱電材料が注目されている。我々は透明な熱電材料であるZnOに注目した。通常、バルク材料では低い構造制御性のため、その構造と熱電特性との関係は未知である。そこで本研究では、面方位が異なるAl₂O₃基板上（c面、r面）にZnO薄膜を成長して歪、ドメイン界面やその形状と熱電特性との関係について明らかにすることを目的とした。その結果、歪があるものにおいて低い移動度と高いゼーベック係数を得た。