[16p-D63-1~17] CS.9 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェア

13:45 〜 14:00

[16p-D63-4] 基板面方位制御によるZnO薄膜の熱電特性操作

〇小松原 祐樹¹、石部 貴史¹、成瀬 延康²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.滋賀医科大)

キーワード：

熱電変換、歪、エピタキシャル成長

近年、IoTセンサ用電源として薄膜熱電材料が注目されている。我々は透明な熱電材料であるZnOに注目した。通常、バルク材料では低い構造制御性のため、その構造と熱電特性との関係は未知である。そこで本研究では、面方位が異なるAl₂O₃基板上（c面、r面）にZnO薄膜を成長して歪、ドメイン界面やその形状と熱電特性との関係について明らかにすることを目的とした。その結果、歪があるものにおいて低い移動度と高いゼーベック係数を得た。