[16p-P08-1~6] KS Sessions organized by JSAP's Professional Group (Poster)

[16p-P08-1] Characterization of preferentially oriented NV centers generated by CVD growth on diamond {111} facets in inverted pyramid shaped holes

〇(M1)Koki Imuta^1,2, Yohei Oikawa^1,2, Norio Tokuda³, Junko Ishi-Hayase^1,2 (1.Keio Univ., 2.Keio CSRN, 3.NanoMaRi, Kanazawa Univ.)

Keywords:

NV center,CVD growth,preferentially oriented

ダイヤモンド中窒素空孔中心(NV センター)は、常温大気圧下での高感度・高空間分解能な磁場センサとしての応用が期待されている。我々の研究グループでは、Ni 異方性エッチングにより形成した{111}面逆ピラミッド型ホール構造を有する(100)基板上に窒素ドープ CVD 成長を施すことで、配向方向が選択可能かつ 4 面配向率 95%以上の高配向 NVセンターの生成に成功した。しかし、従来の配向率評価手法では、基板上の限定的な測定点を評価するに留まっていた。そこで本研究では、基板全体の統計的な配向率評価について、迅速かつ簡便な測定プログラムを実装し、生成される NV センターの特性評価を行った。