[16p-P08-1~6] KS 研究会セッション（ポスター）

[16p-P08-1] {111}面逆ピラミッド型ホール上CVD成長で生成した高配向NVセンターの特性評価

〇(M1)伊牟田 航基^1,2、及川 耀平^1,2、徳田 規夫³、早瀬 潤子^1,2 (1.慶大理工、2.慶大CSRN、3.金沢大ナノマリ)

キーワード：

NVセンター、CVD成長、高配向

ダイヤモンド中窒素空孔中心(NV センター)は、常温大気圧下での高感度・高空間分解能な磁場センサとしての応用が期待されている。我々の研究グループでは、Ni 異方性エッチングにより形成した{111}面逆ピラミッド型ホール構造を有する(100)基板上に窒素ドープ CVD 成長を施すことで、配向方向が選択可能かつ 4 面配向率 95%以上の高配向 NVセンターの生成に成功した。しかし、従来の配向率評価手法では、基板上の限定的な測定点を評価するに留まっていた。そこで本研究では、基板全体の統計的な配向率評価について、迅速かつ簡便な測定プログラムを実装し、生成される NV センターの特性評価を行った。