[17a-A22-1~12] KS.2 Quantum Information Engineering Group

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[17a-A22-4] Development of superconducting through-sapphire vias for 3D-integration of qubits

〇Kiyotaka Mukasa¹, Kazuyuki Fujie¹, Yusuke Nuruki¹, Hayato Kubo¹, Yoshihide Narahara¹, Motohiro Umehara¹ (1.Kyocera)

Keywords:

superconducting qubits,through-substrate vias,chemical vapor deposition

超伝導量子ビットの集積化のため、シリコン貫通電極を用いた基板垂直方向への配線が提案されている。我々は、コヒーレンス時間の長い量子ビットが得られると近年報告されているサファイア基板を用いて貫通電極を作製することを目指した。化学気相成長法で成膜した窒化チタンについて、膜厚・超伝導転移温度の評価を行った結果、ビア内壁に膜厚均一性の高い膜が成膜できていること、約4.5 Kで超伝導転移することを確認した。