講演情報

[17a-A22-4]量子ビットの3次元集積化に向けた超伝導サファイア貫通電極の開発

〇向笠 清隆1、藤江 和之1、塗木 佑介1、久保 隼人1、楢原 賢英1、梅原 幹裕1 (1.京セラ)
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キーワード:

超伝導量子ビット、基板貫通電極、化学気相成長法

超伝導量子ビットの集積化のため、シリコン貫通電極を用いた基板垂直方向への配線が提案されている。我々は、コヒーレンス時間の長い量子ビットが得られると近年報告されているサファイア基板を用いて貫通電極を作製することを目指した。化学気相成長法で成膜した窒化チタンについて、膜厚・超伝導転移温度の評価を行った結果、ビア内壁に膜厚均一性の高い膜が成膜できていること、約4.5 Kで超伝導転移することを確認した。

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