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[17a-B6-9]ESR Study on Interface-Functionalized Perovskite Transistors

〇(M1)Taiki Sakaguchi1, Seira Yamaguchi1,2, Sayo Okabe1, Jiaxi Wang1, Yukihiro Shimoi1, Kazuhiro Marumoto1,2,3 (1.Dep. of Mater. Sci., Univ. of Tsukuba, 2.IQSST, Univ. of Tsukuba, 3.TREMS, Univ. of Tsukuba)
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Keywords:

electrochemical transistor,perovskite,electron spin resonance

ペロブスカイトは溶液プロセスでの製造が可能な移動度の高い材料であるが、化学的安定性が低く、誘電体層の選択性が低い。そのため、しきい値電圧は高くなる傾向にある。そこで、共役系高分子層をペロブスカイト層と電解質層の界面に挿入して低電圧駆動と高移動度を両立する界面機能化ペロブスカイトトランジスタが提案された。本研究ではESRを用いることで電荷蓄積を観測し、微視的な挙動と伝達特性との関係性を研究した。

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