[17a-C302-1~12] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[17a-C302-10] Fabrication of quantum dot spin-polarized light-emitting diode using GaO_x tunnel barrier

〇(M2)SEUNGHYEOK SIM¹, Kohei Etou¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Agus Subagyo¹, Kazuhisa Sueoka¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:

spin-polarized light-emitting diode,GaOx tunnel barrier,semiconductor quantum dot

本研究では、スピン注入トンネルバリアとしてGaOxを使用した量子ドット(QD)スピン偏極発光ダイオード(スピン LED)を作製した。p-GaAs(100)基板上にIn_0.5Ga_0.5As QDを光学活性層とするLED構造を分子線エピタキシー法により作製し、膜厚2.5 nmのGaOxを電子ビーム蒸着により室温で成膜した。EL円偏光測定の結果からGaOxのスピン注入トンネルバリアとしての可能性を講論する。