[17a-C302-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

11:15 〜 11:30

[17a-C302-10] GaO_xトンネルバリアを持つ量子ドットスピン偏極発光ダイオードの作製

〇(M2)沈 承赫¹、江藤 亘平¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、スバギヨ アグス¹、末岡 和久¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

スピン偏極発光ダイオード、酸化ガリウムトンネルバリア、半導体量子ドット

本研究では、スピン注入トンネルバリアとしてGaOxを使用した量子ドット(QD)スピン偏極発光ダイオード(スピン LED)を作製した。p-GaAs(100)基板上にIn_0.5Ga_0.5As QDを光学活性層とするLED構造を分子線エピタキシー法により作製し、膜厚2.5 nmのGaOxを電子ビーム蒸着により室温で成膜した。EL円偏光測定の結果からGaOxのスピン注入トンネルバリアとしての可能性を講論する。