[17a-C302-1~12] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-C302-11] Polarization dependence of photocurrent at room temperature in a near-infrared photodiode using dilute nitride GaNAs

〇Daiki Mineyama¹, Tatsuya Yano¹, Kohei Etou¹, Satoshi Hiura¹, Kaito Nakama², Hidetoshi Hashimoto², Keisuke Minehisa², Junichi Takayama¹, Agus Subagyo¹, Kazuhisa Sueoka¹, Fumitaro Ishikawa², Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ., 2.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

GaNAs,near-infrared photodiode,Polarization dependence of photocurrent

希薄窒化GaNAsは窒素添加によって生じる深い局在準位を介したスピン依存再結合（SDR）によって、入射光の偏光状態に応じて主要な再結合過程が変化することが知られている。本研究では、GaNAsを光学活性層に用いることで、SDRによって偏光状態に応じて伝導電子数が変化するpin型フォトダイオードを作製し、室温かつ無磁場下において、1075nmの近赤外光の偏光状態の検出に成功した。