[17a-C302-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[17a-C302-11] 希薄窒化GaNAsを用いた近赤外フォトダイオードにおける室温での光電流の偏光依存性

〇峯山 大輝¹、矢野 龍弥¹、江藤 亘平¹、樋浦 諭志¹、中間 海音²、橋本 英季²、峰久 恵輔²、高山 純一¹、スバギョ アグス¹、末岡 和久¹、石川 史太郎²、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)

キーワード：

GaNAs、近赤外フォトダイオード、偏光依存光電流

希薄窒化GaNAsは窒素添加によって生じる深い局在準位を介したスピン依存再結合（SDR）によって、入射光の偏光状態に応じて主要な再結合過程が変化することが知られている。本研究では、GaNAsを光学活性層に用いることで、SDRによって偏光状態に応じて伝導電子数が変化するpin型フォトダイオードを作製し、室温かつ無磁場下において、1075nmの近赤外光の偏光状態の検出に成功した。