[17a-C302-1~12] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[17a-C302-12] Magnetic field dependence of a near-infrared spin photodiode using dilute nitride GaNAs

〇Tatsuya Yano¹, Daiki Mineyama¹, Kohei Etou¹, Kaito Nakama², Hideki Hashimoto², Keisuke Minehisa², Mineto Ogawa¹, Junichi Takayama¹, Humitarou Ishikawa², Tetsuya Uemura¹, Satoshi Hiura¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST-Hokkaido Univ., 2.RCIQE-Hokkaido Univ)

Keywords:

spin photodiode,GaNAs,Magnetic field dependence

GaNAsは近赤外領域に受光感度を持ち、バンドギャップ中の深い局在準位が持つスピンフィルタリング効果により伝導電子のスピン偏極を室温で効率的に増幅できる[3]。しかし、スピンPDを構成する半導体層の大部分にGaNAsを用いた報告例はない。そこで、本研究では受光層およびスピン輸送層にGaNAsを用いたスピンPDを作製し、室温かつ磁場中での円偏光依存光電流特性を評価した。