[17a-C302-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

11:45 〜 12:00

[17a-C302-12] 希薄窒化GaNAsを用いた近赤外スピン受光ダイオードの磁場特性

〇矢野 龍弥¹、峯山 大輝¹、江藤 亘平¹、中間 海音²、橋本 英考²、峰久 恵輔²、小川 峰登¹、高山 純一¹、石川 史太郎²、植村 哲也¹、樋浦 諭志¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)

キーワード：

スピンフォトダイオード、GaNAs、磁場依存性

GaNAsは近赤外領域に受光感度を持ち、バンドギャップ中の深い局在準位が持つスピンフィルタリング効果により伝導電子のスピン偏極を室温で効率的に増幅できる[3]。しかし、スピンPDを構成する半導体層の大部分にGaNAsを用いた報告例はない。そこで、本研究では受光層およびスピン輸送層にGaNAsを用いたスピンPDを作製し、室温かつ磁場中での円偏光依存光電流特性を評価した。