[17a-C302-1~12] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-C302-6] Excitation-efficiency variation of luminescent centers in Eu-doped GaN induced by anisotropic structures

〇Hodaka Kubo¹, Shuhei Ichikawa^1,2, Yasufumi Fujiwara^3,4,5, Kazunobu Kojima¹ (1.Grad. Sch. Eng., Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM, Osaka Univ., 3.Res. Org. of Sci. and Tech. Ritsumeikan Univ., 4.ISIR, Osaka Univ., 5.R3 Institute of Newly-Emerging Science Design, Osaka Univ.)

Keywords:

semiconductor,rare-earth doped materials,optical property

Eu添加GaN(GaN:Eu) を発光層とした赤色発光ダイオード(LED)は、InGaN青/緑色LEDとモノリシックに集積可能なことからマイクロLEDへの応用が注目されている。LED素子をマイクロサイズにまで微細化した際には、素子側面の自由表面の露出により、表面体積比が増えるため、異方的な歪緩和が生じてEuイオンの励起効率が変化する可能性がある。本研究では、GaN:EuマイクロLEDを模した異方的構造を作製し、素子構造が光学特性へ与える影響を評価した。