[17a-C302-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[17a-C302-6] 異方的構造の導入によるEu添加GaNの発光中心の励起効率変化

〇久保 穂高¹、市川 修平^1,2、藤原 康文^3,4,5、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.立命館大総研、4.阪大産研、5.阪大エマージングサイエンスデザインR3センター)

キーワード：

半導体、希土類添加、光物性

Eu添加GaN(GaN:Eu) を発光層とした赤色発光ダイオード(LED)は、InGaN青/緑色LEDとモノリシックに集積可能なことからマイクロLEDへの応用が注目されている。LED素子をマイクロサイズにまで微細化した際には、素子側面の自由表面の露出により、表面体積比が増えるため、異方的な歪緩和が生じてEuイオンの励起効率が変化する可能性がある。本研究では、GaN:EuマイクロLEDを模した異方的構造を作製し、素子構造が光学特性へ与える影響を評価した。