[17a-C41-3~3] 8.7 Plasma Electronics Invited Talk

11:00 AM - 11:45 AM JST(2:00 AM - 2:45 AM UTC)

[17a-C41-3] [INVITED] Physics of plasma processing for semiconductor manufacturing in the Angstrom-node generation

〇Satoshi Hamaguchi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:

plasma processing,atomic layer processing,machine learning

半導体製造工程に多数導入されているプラズマプロセスでは、デバイスへの新材料の導入や、より複雑な３次元構造加工への対応が継続的に求められ、従って、新規プロセスの開発手法や工場現場でのプロセス制御手法そのものを革新する技術の開発が求められている。このためには、まずは基本に立ち返り、プロセス中の表面化学反応の統一的理解が必要とされると同時に、これまでの常識にとらわれず、限られた情報から、新しい気相種と個体材料との表面化学反応を予測する技術の開発が求められている。本講演では、こうした要求に対するこれまでの成果、特に、前者に関しては、原子層堆積（ALD）、原子層エッチング（ALE）^1,2の表面反応に関する理解、後者に関しては、プラズマプロセスにおける機械学習手法^3,4の開発について、世界的な研究動向と、講演者の研究グループの最近の研究成果を紹介する。