[17a-C42-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[17a-C42-2] Reduction of abnormal single crystals and abnormal polycrystals during MOVPE growth of n-GaN nanowires

〇Naoto Fukami¹, Aoi Nakagawa¹, Kosei Kubota¹, Yuta Hattori¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

semiconductor,multi-quantum shell nanowires,MOVPE

本研究グループは高出力の量子殻レーザ実現を目指している。実現にはナノワイヤの均一性の確保や各層の膜厚制御、異常成長の抑制の問題があり、n-GaNナノワイヤ成長時に異常単結晶、異常多結晶が生じることが多く、原因の究明とその抑制が求められる。本研究は異常単結晶、異常多結晶に関して成長温度、TMG流量の観点から抑制を試み、成長温度の上昇、TMG流量の増加により量子殻レーザの作製時に含まないレベルの抑制を確認した。