[17a-C42-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30

[17a-C42-2] n-GaNナノワイヤのMOVPE成長時の異常単結晶および異常多結晶の低減

〇深水 直斗¹、中川 碧¹、久保田 光星¹、服部 祐汰¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：

半導体、量子殻ナノワイヤ、有機金属気相成長法

本研究グループは高出力の量子殻レーザ実現を目指している。実現にはナノワイヤの均一性の確保や各層の膜厚制御、異常成長の抑制の問題があり、n-GaNナノワイヤ成長時に異常単結晶、異常多結晶が生じることが多く、原因の究明とその抑制が求められる。本研究は異常単結晶、異常多結晶に関して成長温度、TMG流量の観点から抑制を試み、成長温度の上昇、TMG流量の増加により量子殻レーザの作製時に含まないレベルの抑制を確認した。