[17p-C301-1~11] 9.4 Thermoelectric conversion

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[17p-C301-4] Seebeck coefficient enhancement in ZnO films/r-Al₂O₃ by controlling strain and defects

〇Yuki Komatsubara¹, Takafumi Ishibe¹, Kazunori Sato², Yoshiaki Nakamura¹ (1.Grad. School of Eng. Sci., Osaka Univ., 2.Graduate School of Engineering)

Keywords:

Thermoelectric conversion,Oxide,ZnO

我々は様々な面方位の基板を用いてエピタキシャルAl doped ZnO（AZO）薄膜を作製し、歪の異なる薄膜では有効質量が異なることを報告してきた。本研究では、AZO/r-Al₂O₃における高有効質量の物理を実験と理論計算から解明することを目的とした。その結果、本薄膜内の歪程度では有効質量は変化しないことが分かった。一方、成膜時の酸素分圧を制御して薄膜成長を行ったところ、酸素分圧が低減するにつれキャリア密度、歪、および有効質量が増大した。