[17p-C301-1~11] 9.4 熱電変換

14:15 〜 14:30

[17p-C301-4] 歪・欠陥制御したZnO薄膜/r-Al₂O₃のゼーベック係数増大

〇小松原 祐樹¹、石部 貴史¹、佐藤 和則²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

キーワード：

熱電変換、酸化物、ZnO

我々は様々な面方位の基板を用いてエピタキシャルAl doped ZnO（AZO）薄膜を作製し、歪の異なる薄膜では有効質量が異なることを報告してきた。本研究では、AZO/r-Al₂O₃における高有効質量の物理を実験と理論計算から解明することを目的とした。その結果、本薄膜内の歪程度では有効質量は変化しないことが分かった。一方、成膜時の酸素分圧を制御して薄膜成長を行ったところ、酸素分圧が低減するにつれキャリア密度、歪、および有効質量が増大した。