[17p-D62-1~9] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-D62-6] Technology Transition Characteristics of Advanced Photoresist from IP Information

〇Kosuke Watahiki¹, Yoshihiro Midoh², Kazuya Okamoto^1,2,3 (1.Yamaguchi Univ., 2.Osaka Univ., 3.Nippon Inst. of Technology)

Keywords:

semiconductor,photoresist,patent

世界中で躍然と投資されている先端半導体産業の中で、高い産業的価値を有するフォトレジスト材料に関する技術変遷を、知的財産情報を活用した社会科学的視座から考察した。特許分類の出願基準年からの技術動向の可視化に加え、収益との相関性や特許明細書要約の自然言語処理による文書クラスタ解析を経て、EUVLに関わる分野のSDGs/ESGとの関連性を見出し、将来に向けた微細化の開発方向性に関わる示唆を得た。