Presentation Information
[17p-P01-7]Growth of hexagonal ZnSnN2 layer by UHV sputter epitaxy method (II)
〇Toshiki Nagasawa1, Ikeda Haruto1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
zinc tin nitride,sputtering method,thin film
近年，II-IV-V2族半導体がⅢ族窒化物半導体の代替材料として注目されている．その中のZnSnN2は，ZnやSnが地球上に豊富に存在するため安価に合成することができる．そのため，太陽電池等に用いられる新材料として期待されている．我々はこれまで，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて，c面サファイア基板上へZnSnN2層の成長を行ってきた．今回は，反応ガスにAr/N2混合ガスを使用してZnSnN2層の成長を行い，その結晶性等について検討を行った．
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