講演情報
[17p-P01-7]UHVスパッタエピタキシー法による六方晶ZnSnN2層の成長（Ⅱ）
〇長澤 俊輝1、池田 陽登1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
窒化亜鉛スズ、スパッタリング法、薄膜
近年，II-IV-V2族半導体がⅢ族窒化物半導体の代替材料として注目されている．その中のZnSnN2は，ZnやSnが地球上に豊富に存在するため安価に合成することができる．そのため，太陽電池等に用いられる新材料として期待されている．我々はこれまで，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて，c面サファイア基板上へZnSnN2層の成長を行ってきた．今回は，反応ガスにAr/N2混合ガスを使用してZnSnN2層の成長を行い，その結晶性等について検討を行った．
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