[17p-P02-1~9] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[17p-P02-8] Surface Structural Change of Crystalline GST During Amorphization

〇Shota Awaduhara^1,2, Isamu Arai^1,2, Joe Sakai³, Masashi Kuwahara², Aiko Narasaki², Satoshi Katano¹ (1.Toyo Univ., 2.AIST, 3.Toshima Manufacturing co.)

Keywords:

GST,phase transition material,AFM

Ge₂Sb₂Te₅（GST）に代表されるカルコゲナイドは、外部刺激によってアモルファス相と結晶相の状態を可逆的に転移させることができ、不揮発性メモリデバイスの材料として実用化されてきた。しかしながら、レーザー照射によって可逆的な相転移を行う際の、表面における構造変化はあまり調べられていない。本発表では、レーザー照射によってアモルファス相へと相転移させたGST薄膜結晶の表面構造変化について、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べた結果について報告する。