講演情報
[17p-P02-8]結晶GSTのアモルファス化に伴う表面構造変化
〇粟津原 奨太1,2、新井 イサム1,2、坂井 穣3、桑原 正史2、奈良崎 愛子2、片野 諭1 (1.東洋大理工、2.産総研、3.豊島製作所)
キーワード:
GST、相変化材料、原子間力顕微鏡
Ge2Sb2Te5(GST)に代表されるカルコゲナイドは、外部刺激によってアモルファス相と結晶相の状態を可逆的に転移させることができ、不揮発性メモリデバイスの材料として実用化されてきた。しかしながら、レーザー照射によって可逆的な相転移を行う際の、表面における構造変化はあまり調べられていない。本発表では、レーザー照射によってアモルファス相へと相転移させたGST薄膜結晶の表面構造変化について、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べた結果について報告する。
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