[17p-P06-1~3] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[17p-P06-3] Temperature Dependence of I-V Characteristics Above Room Temperature of Needle Contact and Junction Contact Ge Schottky Barrier Diodes

〇Riku Ando¹, Yoriko Suda¹, Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology)

Keywords:

schottky barrier diode,Semiconductor,Low-Power Application

我々は接合型および針接触型 Ge ショットキーバリアダイオード(SBD)の特性を比較した結果、針接触型 SBDのしきい値電圧(V_th)が接合型 SBDよりも低いことを見出した。本研究ではさらにGe SBDの室温以上におけるI-V特性の温度依存性を測定した結果、温度上昇と共にV_thの低下が確認された。また室温以上においても針接触型 SBDのV_thは接合型SBDよりも低く、針接触型 SBDを加熱して使用することで更に小電力応用に適した整流特性が得られることがわかった。