[17p-P07-1~23] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[17p-P07-2] Ultrafast UV luminescence of ZnO films fabricated by pulsed reactive magnetron sputtering operating in the medium-frequency range

〇Kota Hibino¹, Marilou Cadatal-Raduban^2,4, Jiri Olejnicek³, Yuki Maruyama¹, Aneta Pisarikova³, Keito Shinohara², Toru Asaka¹, Lenka Volfova³, Michal Kohout³, Zhang Jiaqi³, Yugo Akabe², Makoto Nakajima², John Harrison³, Rainer Hippler³, Nobuhiko Sarukura², Shingo Ono¹, Zdenek Hubicka³, Kohei Yamanoi² (1.Nagoya Institute of Technology, 2.Institute of Laser Engineering, Osaka Univ., 3.Czech Academy of Sciences, 4.Massey Univ.)

Keywords:

Wide bandgap semiconductor,optical radiation,optical property,impurity,defect,deep level

TOFセンサなどの応用において、100ピコ秒以下の短い発光減衰時間が求められ、ZnOは高い特性から注目されている。本研究では、発光減衰時間に与える膜質の影響を調査するために中周波パルススパッタリングおよび電子サイクロトロン波共鳴を適用した成膜法を用いて、膜厚違いのZnO薄膜をソーダライムガラス基板上に作製した。これらは優れた特性を示し、最も短いものでは世界最短である9psの発光減衰時間を示した。