[17p-P07-1~23] 13.8 光物性・発光デバイス

[17p-P07-2] 中周波パルススパッタリングで作製したZnO薄膜の超高速UV発光

〇日比野 孝太¹、Cadatal-Raduban Marilou^2,4、Jiří Olejníček³、丸山 祐樹¹、Písaříková Aneta³、篠原 敬人²、浅香 透¹、Volfova Lenka³、Kohout Michal³、Jiaqi Zhang³、赤部 勇午²、中嶋 誠²、Harrison John³、Hippler Rainer³、猿倉 信彦²、小野 晋吾¹、Hubicka Zdenek³、山ノ井 航平² (1.名工大、2.阪大レーザー研、3.Czech Academy of Sciences、4.Massey Univ.)

キーワード：

ワイドバンドギャップ半導体、光放射・光物性、不純物，⽋陥，深い準位

TOFセンサなどの応用において、100ピコ秒以下の短い発光減衰時間が求められ、ZnOは高い特性から注目されている。本研究では、発光減衰時間に与える膜質の影響を調査するために中周波パルススパッタリングおよび電子サイクロトロン波共鳴を適用した成膜法を用いて、膜厚違いのZnO薄膜をソーダライムガラス基板上に作製した。これらは優れた特性を示し、最も短いものでは世界最短である9psの発光減衰時間を示した。