[17p-P07-1~23] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[17p-P07-3] Evaluation of growth phase and film quality of deep-ultraviolet emitting ZnAl₂O₄ thin film

〇Daichi Takeya¹, Masaki Yasuda¹, Hiroko Kominami¹, Kazuhiko Hara¹, Yuji Ohashi², Akihiro Yamaji², Shunsuke Kurosawa² (1.Shizuoka Univ., 2.Tohoku Univ.)

Keywords:

ZnAl2O4 thin film

高効率・低コスト・低環境負荷な新たな殺菌用紫外発光デバイスの開発を目指し、その発光層として電子線励起により250nm付近に深紫外発光を示すZnAl₂O₄に着目した。今回、発光層の最適な形成条件について検討するため、ZnAl₂O₄膜内の成長相の分布および膜質の評価を行った。XRDおよびCL特性より、薄膜内部約400nmにおいて良質な発光層が形成されていた。より深い領域では発光層形成が不十分であり、デバイス化に向け改善が必要である。