[17p-P07-1~23] 13.8 光物性・発光デバイス

[17p-P07-3] 深紫外発光 ZnAl₂O₄ 薄膜の成長相および膜質の評価

〇竹舎 大智¹、保田 将希¹、小南 裕子¹、原 和彦¹、大橋 雄二²、山路 晃広²、黒澤 俊介² (1.静岡大工、2.東北大)

キーワード：

ZnAl2O4薄膜

高効率・低コスト・低環境負荷な新たな殺菌用紫外発光デバイスの開発を目指し、その発光層として電子線励起により250nm付近に深紫外発光を示すZnAl₂O₄に着目した。今回、発光層の最適な形成条件について検討するため、ZnAl₂O₄膜内の成長相の分布および膜質の評価を行った。XRDおよびCL特性より、薄膜内部約400nmにおいて良質な発光層が形成されていた。より深い領域では発光層形成が不十分であり、デバイス化に向け改善が必要である。