[17p-P07-1~23] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[17p-P07-4] Influence of Structural Changes Induced by Annealing Atmospheres on Luminescent properties of Eu²⁺, Eu³⁺- doped AlN Thin Films

〇(M2)Kazuto Miyano¹, Yingda Qian¹, Mariko Murayama^1,2, Shinichiro Kaku¹, Xinwei Zhao¹ (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.Toyo Univ. Research Institute of Industrial Technology)

Keywords:

semiconductor,rare-earth elements

我々は1枚の薄膜のみで白色発光を可能とするAlN:Eu薄膜の開発を目標とした。母材であるAlNは欠陥由来の青色発光を示し、Eu²⁺はブロードな緑色発光を、Eu³⁺はシャープな赤色発光を示す。Euの価数は隣接原子の種類によって変化することが先行研究で報告されている。本研究ではAlN:Eu薄膜の白色発光に向け、アニールの雰囲気を変化させることで、Euイオンの局所構造と発光の制御を試みた。