[17p-P07-1~23] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[17p-P07-7] Study on oxygen defect energy level of Sr2MgSi2O7:Eu,Dy afterglow phosphors using the first principles calculations

〇Jumpei Kamikawa¹, Nobuhisa Fujima¹, Hiroko Kominami¹, Kazuhiko Hara¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:

afterglow phosphors,the first principles calculations,phosphor

密度汎関数理論による第一原理計算を用いて、 希土類添加 Sr₂MgSi₂O₇(SMS)蛍光体に形成される準位の起因に関する評価を行った。SMS蛍光体に対しVASPによる状態密度(DOS)を出力し、禁制帯幅、f軌道準位及び、酸素欠陥準位を評価した。SMSの禁制帯幅の計算値は6.85 eV、伝導帯下部にf軌道準位が形成されることが分かった。酸素欠陥準位は価電子帯の上端から0.61~1.81 eV付近に出現し、酸素欠陥が生じることで、希土類元素の準位の深さが変化することが示された。