[17p-P07-1~23] 13.8 光物性・発光デバイス

[17p-P07-7] 第一原理計算を用いたSr₂MgSi₂O₇:Eu,Dy長残光蛍光体における酸素欠陥準位の考察

〇上川 純平¹、藤間 信久¹、小南 裕子¹、原 和彦¹ (1.静岡大工)

キーワード：

長残光蛍光体、第一原理計算、蛍光体

密度汎関数理論による第一原理計算を用いて、 希土類添加 Sr₂MgSi₂O₇(SMS)蛍光体に形成される準位の起因に関する評価を行った。SMS蛍光体に対しVASPによる状態密度(DOS)を出力し、禁制帯幅、f軌道準位及び、酸素欠陥準位を評価した。SMSの禁制帯幅の計算値は6.85 eV、伝導帯下部にf軌道準位が形成されることが分かった。酸素欠陥準位は価電子帯の上端から0.61~1.81 eV付近に出現し、酸素欠陥が生じることで、希土類元素の準位の深さが変化することが示された。