[18a-A34-1~9] CS.5 Code-sharing Session of 3.10 & 3.12

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[18a-A34-6] Investigation of device length dependence of 1.55-µm-band QD-RSOA in threshold current of SiPh-based heterogeneous tunable laser

〇(M2)Taisuke Matsuki¹, Atsushi Matsumoto², Shinya Nakajima², Toshimasa Umezawa², Chih-Hsien Cheng², Kouichi Akahane², Naokatsu Yamamoto², Tetsuya Kawanishi¹ (1.Waseda Univ., 2.NICT)

Keywords:

quantum dot,reflective semiconductor optical amplifier,Si photonics

本研究では，1.55μm帯における量子ドット反射型半導体光増幅器（QD-RSOA）のデバイス長依存性に関する報告がほとんどないことから，2重リング共振器構造のSiフォトニクス（SiPh）とQD-RSOAを用いた異種材料集積レーザのしきい値電流と，QD-RSOAのデバイス長の関係を評価したので報告する。